日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美国商业资讯)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（东芝电子元件和存储株式会社，简称“东芝”）推出了具有+6.8A/-4.8A输出的栅极驱动光耦“TLP5814H”，采用SO8L小尺寸封装，集成了有源米勒钳位功能，可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET。该产品即日起开始批量发货。 在逆变器等以串行方式使用MOSFET或IGBT的电路中，米勒电流[1]可能会在下桥臂[2]关断时生成栅极电压，从而导致上下桥臂短路[3]等故障。为预防这种现象，一种常用的保护功能是在栅极关断时对其施加一个负电压。 与硅（Si）MOSFET相比，SiC MOSFET通常电压更高、导通电阻更低，开关速度更快，某些情况下无法在栅极和源极之间施加足够的负电压。对于这种情况，可使用有源米勒钳位将米勒电流引入大地，从而在防止短路的同时，无需施加负电压。不过，一些节省成本的设计可以降低在IGBT关断时将施加到栅极的负电压大小。对于此类情况，可考虑使用内置有源米勒钳位的栅极驱动。 这款新产品内置了有源米勒