日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱「Toshiba」）在其最新一代[1]採用超級結(super junction)結構的DTMOSVI 系列中增加了DTMOSVI(HSD)功率MOSFET。該功率MOSFET帶有高速二極體，適用於開關電源，包括資料中心和太陽能光電電源調節器。首批兩款產品「TK042N65Z5」和「TK095N65Z5」（採用TO-247封裝的650V N溝道功率MOSFET）即日起開始出貨。 新產品採用高速二極體，改善了對橋式電路和逆變電路應用非常重要的反向恢復[2]特性。相較於標準DTMOSVI，它們的反向恢復時間(trr)縮短了65%，反向恢復電荷(Qrr)減少了88%（測量條件：-dIDR /dt= 100A/μs）。 新產品採用的DTMOSVI(HSD)製程改進了Toshiba帶高速二極體的DTMOSIV系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性，在高溫條件下具有更低的漏極截止電流。「漏極-源極導通電阻×閘極-