日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美国商业资讯)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（“东芝”）新推出了采用高速二极管的功率MOSFET产品DTMOSVI(HSD)，适用于电源转换等用途，包括数据中心和光伏功率调节器，这是该公司最新一代[1]DTMOSVI系列产品的新成员，采用超结结构。首批采用TO-247封装的“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”650V N-通道功率MOSFET于今天开始出货。 这些新产品采用高速二极管来提升反向恢复[2]特性，这对桥接电路和逆变器电路应用十分重要。相比DTMOSVI，新产品的反向恢复时间(trr)减少了65%，反向恢复电荷(Qrr)减少了88%（测量条件：-dIDR/dt= 100A/μs)）。 这些新产品使用的DTMOSVI(HSD)工艺采用高速二极管(DTMOSIV(HSD))，改进了东芝DTMOSIV系列的反向恢复特性，降低了高温时的漏极截止电流。“漏源导通电阻 × 栅漏电荷”品质因素也进一步降低。TK042N65Z5的高温漏极截止电流降低了