日本小山–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– 為尖端半導體製造製程提供光源的製造商Gigaphoton Inc.（總部：栃木縣小山市；總裁兼執行長：Tatsuo Enami）今日宣布，已於2026年9月25日將用於脈波雷射沉積(PLD)的L300KZ KrF準分子雷射器安裝至日本國內一家高溫超導帶材製造商。該雷射器是在日本內閣府主管的「登月型」研發計畫目標10下開發，目前已針對高溫超導帶材的批量生產啟動評估。 Gigaphoton是「登月型」計畫目標10研發專案「實現多種創新核融合反應器概念的基礎超導技術」（資助編號：JPMJMS24A2）的參與機構之一。該專案旨在建立高效能稀土鋇銅氧(*REBCO)帶材的高品質、低成本量產技術，這種線材是核融合反應器用超導磁體的重要構成材料。在該專案中，Gigaphoton負責開發用於PLD製程的準分子雷射器。為本次評估安裝的L300KZ是一款用於高溫超導材料PLD薄膜沉積的高脈波能量雷射器，其開發應用了Gigaphoton在半導體微影用準分子雷射器領域累積的技術。 在PLD製程所使用的光源中，準分子雷射器具有高脈波能量，被廣泛