川崎–(BUSINESS WIRE)–（ビジネスワイヤ） — 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンター向けスイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造を採用した当社最新世代[注1] NチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ」に高速ダイオードタイプ (DTMOSVI(HSD)) 製品を追加しました。先頭製品として、TO-247パッケージを使用した650V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TK042N65Z5」と「TK095N65Z5」を製品化し、本日から出荷を開始します。 新製品は、高速ダイオードを採用することで、ブリッジ回路やインバーター回路用途で重要な逆回復[注2]特性を向上しました。スタンダードタイプ(DTMOSVI)と比較して逆回復時間(trr)で65%低減、逆回復電荷量(Qrr)で88%低減（測定条件：-dIDR/dt= 100 A/μs）を達成しました。 新製品で採用したDTMOSVI(HSD)プロセスは、当社既存製品DTMOSIV(ディーティーモスフォー)シリーズの高