日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴充了其產品陣容，推出適用於鐵路車輛、再生能源發電系統以及電力轉換系統等工業設備的雙SiC MOSFET模組——「IX800FXF2YMS4」。該新型模組採用Toshiba第三代碳化矽(SiC) MOSFET晶片，汲源電壓額定值為3300V，直流(DC)汲極電流額定值為800A。其規格中明確了二極體部分的I2t限值，該值是衡量突波電流能力的指標。 包括鐵路牽引逆變器和變流器、再生能源發電系統以及工業馬達控制設備在內的工業設備製造商，必須不斷滿足對更高效率、更小體積和更高可靠性的與日俱增的需求。在這些系統中，必須透過足夠的突波電流承受能力來因應異常條件下可能流經功率半導體模組的大突波電流。 IX800FXF2YMS4採用了最佳化的SiC晶片設計，其I2t特性達到300kA2s[1]，該特性是衡量二極體部分在異常條件下突波電流能力的指標。 該模組的汲源導通電壓（偵測端）(VDS(on)sense)