日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱 Toshiba）今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品，此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統，亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張，耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用，以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加，正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求，將有助於降低耗電量，並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1]，達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A)；透過更低的導通電阻減少導通損耗，同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比，TW007D120E 的 RDS