日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (「Toshiba」)推出了一款閘極驅動光電耦合器「TLP5814H」，其輸出為+6.8A/-4.8A，採用小型SO8L封裝，並內建主動式Miller箝位功能，以驅動碳化矽(SiC) MOSFET。該產品自今日起開始量產出貨。 在變頻器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，下橋臂[2]關閉時，由於Miller電流[1]會產生閘極電壓，導致上下橋臂發生短路等故障[3]。為防止這種情況發生，常用的保護功能是在關閉時對閘極施加負電壓。 對於一些SiC MOSFET，其通常具有比矽(Si) MOSFET更高的電壓、更低的導通電阻和更快的開關特性，但無法在閘極和源極之間施加足夠的負電壓。在這種情況下，可以使用主動式Miller箝位電路將Miller電流從閘極流到地，從而無需施加負電壓即可防止短路。然而，有一些降低成本的設計可以降低IGBT關斷時施加到閘極的負電壓，在這些情況下，內建主動式Miller箝位的閘極驅動器是一種